Synopsys全新已流片DesignWareUSB30和USB20femtoPHYIP将面积缩小高

为加速芯片和电子系统创新而提供软件、知识产权(IP)及服务的全球性领先供应商新思科技公司(Synopsys, Inc.，纳斯达克股票市场代码：SNPS)于2014年4月29日宣布：通过推出全新的DesignWare®USB femtoPHY系列IP，已将USB PHY的实现面积缩小多达50%;从而可在28nm和14/16nmFinFET工艺节点上，将USB PHY设计的片芯占用面积和成本降至最低。采用28nm和14nm FinFET硅工艺的DesignWare USB femtoPHY已展示出稳固的性能，使设计师能够在先进工艺技术节点上实现该IP，同时降低系统级芯片(SoC)设计风险。DesignWare USB 3.0和USB 2.0 femtoPHY专为极小面积而优化，满足了诸如智能手机和平板电脑等移动设备，以及诸如数字电视、存储等网络应用等大批量消费应用的严苛要求。

本文引用地址： USB 3.0和USB 2.0 femtoPHY IP(DWC SS USB femtoPHY Samsung 14nm FinFET和DWC HS USB femtoPHY Samsung 14nm FinFET)已经在第三方实验室中通过了USB-IF一致性测试。DesignWare USB femtoPHY达到或超过了USB-IF标准规范，包括5V耐压和3.3V信令体制，提供了有利于系统配置运行全部规格定义功能的强大性能。DesignWare USB femtoPHY支持所有的USB应用模式，为系统设计师提供了一系列多样化的SoC设计选项。DesignWare USB 3.0和USB 2.0 femtoPHY两个产品都支持Hi-Speed高速、Full-Speed全速和Low-Speed低速运行，以及作为主控、设备和OTG等不同配置，同时DesignWare USB 3.0 femtoPHY还支持超高速USB运行(USB 3.0)。

“基于我们长期成功使用DesignWare USB IP的经验，我们实现了带有高品质DesignWare USB 3.0和USB 2.0 femtoPHY IP芯片的一次流片成功，”三星电子晶圆代工市场营销副总裁Shawn Han博士表示：“在三星晶圆代工厂中制造的带有DesignWare USB femtoPHY IP的芯片，是首款采用14 nm FinFET工艺的、通过了USB-IF认证的芯片。通过集成一个面积显著缩小的PHY，提高了我们客户系统级芯片的竞争力，并且简化了添加USB连接的过程。Synopsys的DesignWare femtoPHY够满足大批量移动和消费类应用的成本、功耗、性能和上市时间的需求，它们对于我们在这些快速发展的市场中获得成功至关重要。”

Synopsys开发的USB 3.0和USB 2.0 femtoPHY IP使设计师能够为其应用选择最佳实现方式，而不牺牲USB一致性认证所要求的功能或性能。需要高性能的设计可以使用USB 3.0 femtoPHY符合SuperSpeed USB(USB 3.0)规范的5.0 Gbps数据传输速率。需要较低性能的应用可以使用USB 2.0 femtoPHY符合Hi-Speed USB(USB 2.0)规范的480MHz传输速率。两种DesignWare USB femtoPHY都能够将SoC外部所需的引脚数量降至最低，以进一步缩减SoC的面积和成本。当PHY闲置时，关闭电源这一功能可将电池耗电量降至最低，同时保持所有的PHY状态，以确保快速、精确的上电后功能。此外，DesignWare USB femtoPHY支持广为使用的v1.2USB电池充电规范和USB On-The-Go (OTG) v2.0协议。

“18多年来，作为USB-IF的一名活跃成员，Synopsys一直不断地开发相关IP产品，简化了USB 3.0和USB 2.0接口的集成和应用，”USB应用者论坛总裁兼首席运营官Jeff Ravencraft表示道：“获得USB-IF认证表明一款产品符合USB-IF的互操作性标准，并且符合相应的USB规范。Synopsys提供的全新的、面积更小的DesignWare USB 3.0和USB 2.0 femtoPHY，使制造商能够将该技术引入其SoC中。”

“SoC设计师已经依靠Synopsys 在3,000多款设计和100多种工艺技术中实现了USB接口，使我们十多年来一直领跑USB IP供应，”Synopsys IP与原型设计市场营销副总裁John Koeter表示：“我们能够为先进工艺技术提供高质量IP这样的专业技术和成功记录，使设计师可集成能够可靠地满足其严格应用需求的IP。随着DesignWare USB 3.0和USB 2.0 femtoPHY IP的面市，以及在FinFET工艺中成功流片，我们将能够帮助我们的客户满足业界对更小的、高性价比的、高性能的SoC需求。”

亮点：

· DesignWare USB 2.0 femtoPHY IP的面积小于0.2平方毫米，DesignWare USB 3.0 femtoPHY的面积小于0.5平方毫米，使设计师能够节省面积并降低整体硅成本

· DesignWare USB 3.0 femtoPHY完全支持USB 2.0，与全球数十亿部设备兼容

· 具有关闭电源后保留数据的功能，在确保数据被保存的同时延长电池寿命;支持USB 电池充电v1.2版规范(USB Battery Charging v1.2)，以确保便携式设备的高效充电

· DesignWare USB femtoPHY采用减少引脚数量的设计，从而将SoC的外部面积和宽度降至最低

· 带有DesignWare USB femtoPHY的28nm和14nm FinFET工艺的消费类芯片已成功流片

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